QUOTE(danielsann @ Aug 23 2007, 03:13 PM)

QUARTO TRANSISTOR ???
Ma che state dicendo ??
vi siete tutti improvvisati Back-End designer di microcircuiti elettronici ??
4T invece che 3T ..... non vuol dire che un numero piu' alto sia migliore ne tantomeno che la T stia per transistor, per la sony probabilmente significa qualkos'altro !
Raga' .... queste sono informazioni Top-Secret .... il transitor-level non lo rivela NESSUNO ne tantomeno la ricetta del processo Cmos e neppure la quantitia' di maschere di quarzo usate in fab.
Parliamo di cose concrete invece di improvvisarsi ingegneri micro-elettronici .....
sono cose piu' complicate di quanto possiate immaginare !
....#
E'vero, non sono un ingegnere elettronico, però ho le capacità per leggere e capire quello che mi serve di alcuni testi di pubblico dominio (perché comunque ingegnere sono...) tipo questo:
"The 3-T APS pixel includes a reset transistor, a source follower
transistor to isolate the sense node from the large column
bus capacitance and a row select transistor. The current
source component of the follower amplifier is shared by a column
of pixels. Readout is performed one row at a time. Each
row of pixels is reset after it is read out to the column capacitors
via the row access transistors and column amplifiers. The
4-T APS architecture employs a pinned diode, which adds a
transfer gate and a floating diffusion (FD) node to the basic 3-
T APS pixel architecture. At the end of integration, the accumulated
charge on the photodiode is transferred to the FD
node. The transferred charge is then read out as voltage in the
same manner as in the 3-T architecture. Note that, unlike
CCD and PPS, APS readout is nondestructive.
Although the main purpose of the extra transistors in the
APS pixel is to provide signal buffering to improve sensor readout
speed and SNR, they have been used to perform other useful
functions. By appropriately setting the gate voltage of the
reset transistor in an APS pixel, blooming, which is the overflow
of charge from a saturated pixel into its neighboring pixels,
can be mitigated [14]. The reset transistor can also be used
to enhance DR via well capacity adjusting, as described in [15].
Each of the APS architectures has its advantages and disadvantages.
A 4-T pixel is either larger or has a smaller fill
factor than a 3-T pixel implemented in the same technology.
On the other hand, the use of a transfer gate and the FD
node in a 4-T pixel decouples the read and reset operations
from the integration period, enabling true correlated double
sampling (CDS), as will be discussed in detail later in this
article. Moreover, in a 3-T pixel, conversion gain is set primarily
by the photodiode capacitance, while in a 4-T pixel,
the capacitance of the FD node can be selected independently
of the photodiode size, allowing conversion gain to be
optimized for the sensor application."
- Da "CMOS Image Sensors" di Abbas El Gamal e Helmy Eltoukhy -
Quindi, se non leggo male, nel mondo accademico 3-T significa proprio 3 transistor e 4-T...immagino che per Sony valga la stessa nomenclatura ed è inoltre un dato di fatto acclarato che una struttura 4-T abbia migliori prestazioni da un punto di vista del rapporto S/N.
E'altrettanto vero che i sensori canon dovrebbero almeno implementare una struttura 4-T (ma magari è anche più complicata...) perché sennò non capisco (forse me lo puoi spiegare tu?) come fanno a fare una cosa del genere:

(Se vi interessa tutto l'articolo lo trovate
QUI)
Quindi quando dico che il nuovo CMOS Sony è più simile a quello Canon del vecchio sensore della D2x (che era 3-T) forse ho semplificato troppo ma non ho detto castronerie.
In definitiva, può essere che abbia detto delle cose imprecise etc. etc. però non si può in un post dire che siamo "troppo ingegneri" e poco dopo qualcun altro afferma che siamo "poco ingegneri" senza apprezzare il tentativo di dire qualcosa di sensato e perdonare il senz'altro eccessivo sforzo di semplificazione.
Ciao.